В нашу жизнь уже вошло и стало привычным слово “биополе”. Но все вкладывают разный смысл в это понятие. Есть “умельцы”, которые говорят, что они могут измерить, определить биополе у человека. Самое любопытное, что измеряют, и определяют, играя на невежестве измеряемых и определяемых, причём, неплохо зарабатывая на этом.

Как мы уже договорились ранее, энергии (силы) Высших Миров (ВМ) можно определять, исследовать только с помощью сверхспособностей человека и никак иначе. То, что определяют умельцы с помощью приборов или приспособлений типа рамок, маятников - это всё относится к Физическому миру, к плотному миру.

Вот моё определение биополя - это “сумма” энергетических тел. С помощью техники и рамок можно определить с большой натяжкой только переходящую часть и только эфирного тела, это доли процента, а основную часть, более 99 процентов, с помощью средств Физического Мира определять, исследовать абсолютно НЕЛЬЗЯ, это просто НЕВОЗМОЖНО. А уж тем более, как можно судить о биополе по долям процента?

Только много практикующие люди, обладающие сверхспособностями, хорошо развитые в природном направлении, могут с высокой достоверностью определять, исследовать биополе человека, животных, растений, минералов, Земли и так далее.

Лично я - не сторонник исследований только биополя (конечно, как суммы энергетических тел), чтобы определить биоэнергетическую “мощь” человека. Считаю, что для полного определения биоэнергетического состояния человека нужно исследовать КАЖДОЕ энергетическое тело (все шесть), связь между ними. Может случиться, что каждое тело само по себе мощное, а связь между ними недостаточная для их комплексной, а она важна, работы.

Особенно необходимо проверить качественное состояние трёх магистральных каналов - Ида, Пингала, Сушумна. Затем необходимо исследовать и 7 основных чакр. Вот только после этого с довольно высокой степенью достоверности можно дать оценку биоэнергетического состояния человека.

Всё остальное будет давать очень неполную картину, часто с очень серьёзной дезинформацией. Тому у меня много примеров.

Сформулируем некоторые требования к подобным специалистам, умеющим проводить биоэнергетические исследования. Самое главное - у этих людей должны быть природные высокоразвитые сверхспособности. Основные требования:

Иметь от рождения явно выраженные сверхспособности;

Постоянно их развивать, иметь постоянную практику;

Должны соблюдаться все законы Природы, Космоса, Мироздания, которые уже известны (на определённом уровне) человечеству;

Не иметь в своём организме чёрной энергии;

Постоянно и осознанно идти духовным путём развития, путём ВЫСШЕЙ духовности;

Знать о своей специализации сверхспособностей, иметь практический опыт.

Для начала хватит и этих требований, в вообще-то их очень много. Вот таким людям можно доверять исследование вашего биоэнергетического состояния. Всё остальное - от лукавого.

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СТОЛБ (или поток) космической энергии, входящий в голову (в Сахасрару) человека - это очень важная характеристика. Это наша энерго - информационная связь с Мирозданием. В зависимости от уровня развития человека, его устремлённости к развитию этот столб имеет определённые характеристики. А именно:

Плотность,

Цвет (или цвета),

Количество информационных каналов,

Наличие и вид конструкций на нём.

Есть ещё ряд характеристик. Исследовать этот столб могут только ясновидящие высокого уровня, с большой практикой.

Самые лучшие цвета - белый, золотистый, голубой, всевозможные (а это встречается чаще всего) сочетания из них.

Очень страшно, когда столб чёрный, то есть этот человек связан с Чёрными Силами, с Хаосом, является сотрудником Чёрных Сил вольно или невольно. Образование чёрного столба происходит постепенно, незаметно, по мере накопления человеком чёрной энергии, наличия в его организме чёрных сущностей. Этот чёрный столб, конечно, разрушает человека и, обратите внимание, начиная с головы, то есть с мозга, нарушает нормальное его функционирование, коренным образом меняя образ мышления.

Чёрный столб формируется не сразу, не быстро. Когда рождается ребёнок, он имеет светлый столб (“чистая душа ребёнка”), хотя неразумные родители уже могут внести свою чёрную лепту в энергетический комплекс ребёнка. Я уже говорил об этом выше. И заработает закон “Подобное - к подобному”. А дальше уже легко домыслить.

Количество и качество информационных каналов зависит от устремлённости человека, его духовного развития, совершенства его сверхсознания - надсознания. Если провести некую аналогию, то этот столб - как бы своеобразная антенна в действии. Как много конструкций антенн, примерно так много как и конструкций столбов. Но автором - конструктором своего энергетического столба является сам человек. Естественно, что пополнение человека энергией зависит от состояния энергетических каналов и энергетических центров (чакр).

Всевозможные конструкции на энергетическом столбе - это результат конкретных действий человека на пути выполнения своей миссии, например, духовного целительства, просветительства и создания энерго - силовых программ.

Насчёт остальных характеристик вы и сами поймёте, чем шире и плотнее этот столб, тем лучше.

Ещё одной характеристикой человека является АУРА. Нужно определиться с этим понятием. Само слово АУРА имеет несколько значений. При определении характеристик человека под аурой я понимаю энергию мышления, мыслительных процессов сознания и подсознания. Аура в моём понимании ассоциируется с Ореолом. Аура образуется вокруг головы.

А всё остальное - это энергетические тела, как бы их сумма. Аура, как мыслительная, ментальная энергия, имеет три вида.

Аура ПЕРВАЯ - это сиюминутные мысли, скоротечные, неустойчивые, подчас очень кратковременные, как правило, не имеющие принципиального характера. Эту ауру можно увидеть физическим зрением, имеющим широкий диапазон, глядя прямо на человека, вокруг его головы, желательно на сером фоне. Диагностика по этой ауре носит весьма приблизительный характер, часто ошибочный.

Аура ВТОРАЯ - это уже энергия более длительных мыслительных процессов, продолжающихся недели, месяцы, годы. Например, эта аура является результатом мыслительных процессов во время учёбы, при работе над решением различных проблем, над открытиями, изобретениями, при осмыслении своего физического или иных состояний. Эта аура отражает некоторые черты характера человека, его серьёзные заболевания, особенно хронические. По этой ауре уже можно проводить диагностику с более высокой достоверностью, чем по первой ауре. Вторую ауру могут “читать” только ясновидящие высокого уровня, смотреть на исследуемого физическим зрением совершенно не обязательно.

Аура ТРЕТЬЯ - это энергетическая характеристика очень длительного времени, формирующаяся годы, десятилетия, показывает общий уровень развития человека. Диагностика по третьей ауре является самой полной и максимально достоверной, уровень достоверности по этой ауре будет определяться уровнем ясновидения диагноста. Третью ауру могут полностью ”прочитать” ясновидящие с высочайшим уровнем развития. В настоящее время на Земле таких не более... 10!

К характеристикам человека можно отнести и его ”специализацию” сверхспособностей:

Ясновидение, которое делится на: астральное, ментальное, причинное, психического тела и, самое высшее, духовное ясновидение;

Яснослышание, которое делится на такие же разновидности - уровни;

Сверхобоняние, сверхосязание, сверхвкус, сверхинтуиция.

Конечно, есть ещё целый ряд энергетических характеристик человека, но для общего и принципиального представления перечисленных выше характеристик достаточно, а так же для того, чтобы сделать выводы, как мы ещё мало знаем о себе.

А великая мудрость гласит: “Познай себя, и ты познаешь мир!”, а не наоборот!

“Энергетические характеристики электростанций и агрегатов

Энергетические характеристики используются для оценки режимов в технических и экономических задачах

Универсальная энергетическая характеристика

• В таком виде могут представляться характеристики котлов, турбин, генераторов, трансформаторов, двигателей..
• Характеристика может быть преобразована к другому виду показателей:
• абсолютных,
• относительных,
• диффренциальных.

Удельные показатели

• Применяются два вида относительных показатели:
• · удельный расход первичного ресурса (подведенной мощности) на полезную мощность
• руд = Рподв/ Рпол,
• ·удельный расход полезной мощности на подведенную мощность. Это кпд
•  =Рпол /Рподв.
• · Из дифференциальных широко применяется показатель приращения подведенной мощности к приращению полезной рдиф = ΔРподв/ ΔРпол.

Вид и взаимосвязи различных характеристик

Расходные характеристики электростанций в абсолютных показателях

• Основные абсолютные показатели: полезная мощность Р, подведенная мощность Рподв. Подведенная мощность прямо пропорциональна расходу энергоресурса: топлива В, воды Q, пара D, теплоты QТЭС. Для ГЭС при постоянном напоре Н подведенная мощность
• N=9,81 HQ,
• Полезная мощность
• N=9,81 HQ ,
• Для ТЭС подведенная мощность, МВт, пропорциональна расходу условного топлива:
• Pптэс=8,14B

Характеристики в относительных показателях

• Рабочие характеристики- характеристики КПД.
• Удельные характеристики,.
• bуд=B(гут)/P,
• qуд=Q(куб.м/с)/P
• Отметим, что точка минимума удельного расхода энергоресурса соответствует точке максимума КПД
• Дифференциальные характеристики
• Эти характеристики называют еще характеристиками относительных приростов.
• Это приращение энергоресурса на приращение мощности

Энергетические характеристики в руб

• В настоящее время при коммерческих отношениях на рынке и при оптимизации режима станций внутри самой системы необходимо использовать затраты на топливо. Это требует учета цен на топливо различных станций. Для этого осуществляется пересчет ординат энергетических характеристик. Форма характеристик при этом сохраняется. Показатели характеристик будут иметь вид:
• · расход натурального топлива пересчитывается в издержки на топливо - Ив = цВ, руб (ц, руб/тонну натурального топлива),
• · удельные расходы топлива пересчитываются в удельные издержки на топливо - Вц/P , руб/МВтч,
• · относительные приросты ΔВц/ΔР, руб МВт.

Характеристики ТЭС

• Имеются характеристики котлов, турбин, блоков, станции
• Электрическая мощность – Рген=Рподв- ΔРкотл-ΔР турб- ΔР ген
• КПД – η агр= ηген ηтур ηкотл
• Удельный расход топлива – bудагр=bудкотлbудтурбbудген;
• Относительный прирост - bудагр=bкотлbтурбbген

Вид характеристик агрегатов ТЭС

• Котел
• а-расходная
• в-дифференциалная
• Турбина
• расходная,
• дифференциальная
• Генератор

Расходная характеристика блока и станции

Схематичная характеристика ТЭЦ

• Диаграмма режимов представляет совокупность характеристик расхода пара или тепла турбоагрегатом при различных отборах пара на производственные и теплофикационные нужды.
• Нижняя кривая соответствует уловию, когда отбор пара нет. Это конденсационный режим. При увеличении отбора характеристика турбины перемещается параллельно самой себе.

Вид диаграммы режимов турбоагрегата с производственным и теплофикационным отбором пара

Характеристики ГЭС

• Расходная
• Дифференциальная
• Натурные дифференциальные

Характеристики гидроагрегатов обычно представляются изолиниями для постоянных напоров. На расходной характеристике даются изолинии Q (Р) для Н = const, на дифференциальной - изолинии q Натурные характеристики гидроагрегатов часто имеют более сложную форму

Характеристики других станций

• Максимальное значение к. п. д. ГТУ соответствует номинальной мощности и равно примерно 30%. Удельные расходы ГТУ значительно превосходят средние значения показателей современных КЭС. Экономичность работы ГТУ существенно ухудшается при снижении ее нагрузки и при увеличении температуры наружного воздуха. Например, для ГТУ – 100 – 750 -2 при номинальной мощности, удельный расход равен 430 г/Квтч, что в 1,25 раза выше, чем на КЭС, а при снижении мощности до 30% номинальной величина повышается до 720 г/ Квтч.

Агрегаты АЭС на тепловых нейтронах в небольших пределах могут регулировать нагрузку. Однако при этом резко снижается их надежность, и в настоящее время они в основном предназначены для базовой зоны графика нагрузки.

Способы получения характеристик

• Паспортные характеристики. Даются заводом изготовителем.Их погрешности достигают 10%
• Натурные характеристики. Получаются в результате специального эксперимента в натуре. Погрешности до 5 %
• Характеристики, получаемые в АСУ ТП Требуется непрерывное измерение многих параметров. Погрешности примерно 2%.

Характеристики, получаемые в АСУ ТП

• Для ГЭС нет надежных способов измерения расхода воды.
• Для ТЭС расход топлива определяется косвенно по ем параметрам, которые можно замерить.
• Схема получения характеристики
• -Измеряют непрерывно 5-7значимых параметров.
• -Подбирают аппроксимирующую функцию.
• -Параметры функции непрерывно уточняются по новым замерам.

Пример построения характеристики энергоблока в АСУ ТП

• Из 200 измеряетмых параметров выбирают 7.
• Информация вводится в ЭВМ каждые 15с.Проверяется достоверность измерений.
• Данные осредняются за 15 мин.
• По известной аппроксимирующей функции рассчитывается расход топлива
• Уточняется характеристика

Статистические характеристики

• Строятся по данным учета ТЭП
• Для расчетов используются те характеристики, которые имеются на станции
• Статистические характеристики учитывают изменение режима во времени

Заключение

• Характеристики агрегатов являются важнейшей исходной информацией
• В режимных задачах используются характеристики различного вида.
• В настоящее время еще не решен полностью вопрос получения качественных характеристик.
• Наиболее достоверные характеристики получают в АСУ ТП.
• Приходится использовать паспортные или экспериментальные характеристики. Их погрешности составляют 5 –10%.
• Многие режимные параметры приобрели свойства товара и на цены влияют погрешности характеристик.

Энергетические характеристики.

Наименование параметра	Значение
Тема статьи:	Энергетические характеристики.
Рубрика (тематическая категория)	Образование

План

Лекция 13

1. Свойства пленок алюминия

2. Методы получения металлических пленок

3. Создание омических контактов к ИС

К системам металлизации ИС предъявляются следующие требования:

Высокая проводимость (r < 10 –6 Ом×см);

Хорошая адгезия как к Si, так и к SiO 2 ;

Способность к образованию качественного омического контакта с кремнием n- и p-типов;

Отсутствие вредных интерметаллических соединœений или протекания реакций, разрушающих кремний в процессе обработки и эксплуатации системы;

Технологичность методов осаждения и нанесения рисунков;

Устойчивость к электродиффузии в металле;

Металлургическая совместимость со сплавами, которые применяются для присоединœения внешних проводов к металлизированной схеме.

Наиболее удобным, простым в изготовлении и дешевым материалом для металлизации ИМС является алюминий, который обычно наносят методом испарения в вакууме.

Свойства пленок алюминия

Конкретные свойства пленок алюминия зависят от целого ряда условий, таких как чистота испаряемого материала, давление в вакуумной системе, скорость напыления, температура подложки и др.
Размещено на реф.рф
Пленки, нанесенные на аморфную поверхность SiO 2 термически окисленных пластин кремния, являются поликристаллическими с некоторой тенденцией к определœенной ориентации кристаллитов. После напыления пленки имеют зеркально-гладкую поверхность.

Удельное сопротивление напыленной пленки алюминия толщиной 1 мкм составляет около 3×10 –6 Ом×см, ᴛ.ᴇ. всœего на 10 - 20 % больше, чем объёмное удельное сопротивление чистого алюминия. Широкое использование пленок алюминия для металлизации в интегральных схемах обусловлено: высокой электропроводностью, близкой к электропроводности объёмного алюминия; легкостью испарения в вакууме и чистотой испаряемой пленки.

Алюминий имеет относительно низкую температуру испарения, и в связи с этим вероятность загрязнения напыленной пленки примесями из вакуумной камеры и испарителя должна быть небольшой по сравнению с металлами, имеющими более высокую температуру испарения.

Хорошая адгезия к кремнию и окислам дает возможность изготовления однослойной металлизации, что значительно упрощает технологию производства и уменьшает стоимость ИМС. Алюминиевые пленки не отслаиваются из-за плохой адгезии, как золото или молибден. Алюминий образует низкоомный контакт с кремнием n- и p-типа. Контактные площадки на пластинœе кремния всœегда покрыты слоем естественного окисла SiO 2 . Алюминий реагирует с SiO 2 , поскольку может образовывать окислы с большой отрицательной свободной энергией. В результате между кремнием и алюминием создается низкоомный контакт. Скорости этой реакции и диффузии кремния в алюминий очень высоки, так что для получения низкоомного контакта достаточно прогреть образец при температуре 550 °С в течение всœего лишь нескольких минут.

Алюминий пластичен и стоек к циклическим изменениям температуры. Низкая температура подложки при его напылении (120 - 160 °С) и отжиге (~200 °С) позволяет получить пленки с низкими механическими напряжениями вследствие малой разницы ТКР при уменьшении температуры до комнатной. Алюминий устойчив к окисляющему воздействию атмосферы, легко обрабатывается методами фотолитографии для получения крайне важно й конфигурации контактов и межсоединœений в ИМС, причем в таких травителях, которые не действуют на кремний или SiO 2 .

Алюминий образует прочные контакты при креплении золотой или алюминиевой проволоки к его пленке методами термокомпрессии. Его можно использовать в схемах, устойчивых к воздействию радиации.

При этом наряду с положительными свойствами, алюминий имеет ряд недостатков, которые ограничивают использование его для металлизации. К ним относятся:

Мягкость и, следовательно, легкость повреждения алюминиевой пленки;

Появление пустот в пленке вследствие электродиффузии при меньших, чем для других металлов, плотностях тока;

Возможность короткого замыкания через диэлектрическую пленку в системах с несколькими уровнями металлизации из-за образования выступов при электродиффузии или низкотемпературной рекристаллизации пленок;

Возникновение коррозии вследствие гальванического эффекта при одновременном использовании других металлов;

Взаимодействие с SiO 2 при низких температурах (начиная от комнатной и выше), что может приводить к нестабильности, особенно в МДП интегральных схемах;

Способность образовывать хрупкие соединœения с золотом, что может снижать электропроводность и приводить к отказам в случае термокомпрессионного крепления выводов.

Защита алюминиевой пленки от механических повреждений практически осуществляется нанесением поверх металла диэлектрического слоя. Такое покрытие служит одновременно для предохранения близко расположенных токонесущих полосок от коррозии, электролитической или химической, и от закорачивания проводящих полосок какими-либо посторонними частицами.

При травлении окон в диэлектрике (обычно SiO 2) скорость травления диэлектрика должна быть значительно большей, чем скорость травления алюминия, иначе можно повредить алюминиевую пленку вследствие существования в ИС локальных положительных потенциалов. Важно заметить, что для систем, содержащих слои золота͵ эта проблема не возникает. В случае подсоединœения золотых проволочек к пленке алюминия методом термокомпрессионной сварки возможно образование интерметаллических соединœений, что приводит к уменьшению надежности аппаратуры. При этом при относительно низких температурах и умеренных нагрузках такой метод соединœения оказывается вполне надежным. Проблему образования интерметаллических соединœений на границе золото - алюминий полностью решает использование ультразвуковой сварки золотых проводников с пленкой алюминия. Для исключения взаимодействия золотой проволоки с алюминием при одновременном сохранении преимуществ контакта алюминия с кремнием часто между золотом и алюминием наносят дополнительную металлическую пленку, к примеру молибденовую или танталовую.

Электродиффузия в пленках алюминия

Электродиффузия - это явление переноса вещества в металлах при высоких плотностях тока. В пленках алюминия, применяющихся для металлизации ИМС, электродиффузия приводит к разрыву алюминиевого проводника вследствие образования пустот (пор) из-за скопления вакансий в алюминии.

В сплошном металлическом проводнике на термически возбужденный ион металла в узле решетки действуют две силы: одна направлена навстречу электронному потоку при приложении к проводнику электрического поля, другая действует по направлению электронного потока и появляется за счёт обмена импульсами между электронами проводимости и возбужденными ионами металла при столкновениях ("электронный ветер").

Вследствие экранирующего влияния электронов сила, с которой электрическое поле действует на ион, весьма невелика, в связи с этим преобладающей является сила "электронного ветра". В результате этого возбужденные ионы металла, приходящие в вакансию в направлении потока электрона, имеют более высокую вероятность заполнения вакансии, чем окружающие ее близлежащие ионы. Следовательно, ионы металла перемещаются к положительно заряженному концу проводника, а вакансии - к отрицательному. Вакансии скапливаются на отрицательном полюсе (коагулируют) в виде пустот, тогда как ионы на положительных концах образуют кристаллы, усы и холмики. Большое количество пустот приводит к разрыву электрической цепи в пленках алюминия. Поверхностные царапины на металлических проводниках ведут себя как вакансии, причем наблюдается их движение по поверхности проводника в направлении отрицательно заряженного конца. По этой причине скорость переноса вещества зависит от структуры пленок алюминия.

В мелкозернистых пленках алюминия, полученных осаждением в вакууме на холодные подложки, преобладают диффузия по границам зерен и поверхностная диффузия. Вследствие этого энергия активации в таких пленках низка и составляет 0,48 эВ (энергия активации при самодиффузии в объёмном алюминии равна 1,4 эВ). В хорошо упорядоченных крупнозернистых пленках, осажденных на горячие подложки, энергия активации определяется в основном поверхностной диффузией и составляет 0,84 эВ. Это связано с уменьшением границ зерен и соответственно с высоким коэффициентом самодиффузии. В случае если крупнозернистую пленку покрыть слоем кварцевого стекла, то поверхностная диффузия уменьшается, а энергия активации увеличивается до 1,2 эВ, ᴛ.ᴇ. приближается к значению для объёмного алюминия. При температуре 275 °С и выше объёмная диффузия преобладает над диффузией по границам зерен и поверхностной диффузией, в связи с этим влияние структуры несущественно. При этом при температуре ниже 275 °С долговечность ИМС можно повысить на несколько порядков путем применения хорошо упорядоченных крупнозернистых пленок, особенно, в случае если они покрыты пленкой стекла.

Методы получения металлических пленок

Общие требования к тонким токопроводящим пленкам - равномерность толщины пленки, однородность ее структуры, надежное сцепление (адгезия) с подложкой и другими материалами, с которыми она контактирует.

Основными методами осаждения тонких пленок являются: вакуумное испарение (напыление) с косвенным подогревом; ионно-плазменное распыление; осаждение из газовой фазы с помощью газотранспортных реакций; восстановление в атмосфере водорода и термохимическое разложение. Выбор того или иного метода зависит от природы осаждаемого материала, материала подложки, структуры (аморфная, поликристаллическая, монокристаллическая) и толщины пленки.

Наиболее распространенным методом является вакуумное испарение. Оно дает возможность получать пленки, удовлетворяющие многим требованиям. Преимущества этого метода: удовлетворительная воспроизводимость свойств пленок за счёт высокой чистоты при осаждении; хорошая адгезия к подложке, особенно при нагревании подложек; возможность контроля толщины пленок с точностью до нескольких мономолекулярных слоев в процессе осаждения. Этот метод позволяет наносить пленки различного назначения в одной установке, в едином технологическом цикле. К недостаткам вакуумного метода следует отнести проблему отвода тепла, крайне важно сть охлаждения аппаратуры, сложность очистки подложек перед напылением для хорошего сцепления с ними пленок.

Пленки тугоплавких металлов (Ta, W, Mo и др.) можно осаждать ионно-плазменным (катодным) распылением. В атмосфере активного газа (O 2 , N 2 и др.) распылением соответствующего металла можно изготавливать и диэлектрические пленки (окислы, нитриды металлов), однако в данном случае трудно предотвратить поглощение остаточных газов пленкой в процессе ее формирования из-за относительно высокого давления газа (10 –2 - 10 –1 мм рт.ст).

Осаждение из газовой фазы позволяет получать высококачественные пленки, однако данный метод предполагает наличие сильных агрессивных сред, которые могут вступать во взаимодействие с кремнием или диэлектрическими пленками на его поверхности. Вследствие этого осаждение металлов из газовой фазы применяется редко.

Сегодня наиболее широкое распространение при нанесении металлических пленок получил метод ионно-плазменного распыления с помощью магнетронных распылительных систем - устройств для генерирования плазмы.

В методе магнетронного распыления используются скрещенные магнитное и электрическое поля, повышающие эффективность ионизации рабочего газа и, следовательно, плотность плазмы.

Магнетрон представляет собой двухэлектродную систему, в которой распыляемый материал является катодом. Наиболее часто используются две основные электродные системы: с кольцевым (коническим) катодом, называемым S-пушкой (рис.5.1,а), и планарная (рис.5.1,б). Во всœех случаях линии магнитного поля перпендикулярны линиям электрического поля и проходят через поверхность катода. При этом создается плотная плазма низкого давления, локализованная над нужным участком поверхности катода, с которой и производится распыление. Скорость распыления при использовании конического магнетрона пропорциональна косинусу угла между направлением пучка распыляемого материала и нормалью к подложке. Для увеличения производительности этого метода может использоваться планетарная система расположения подложек относительно источника распыляемого материала. В планарном магнетроне пластины помещаются на плоскости перед магнетроном, причем источник может иметь изменяющиеся размеры, так что возможно значительное увеличение производительности устройства.

Использование магнетронного распыления позволяет проводить нанесение металла с высокой скоростью. При этом напряжение магнетронных источников обычно ниже, чем электронно-лучевых устройств, следовательно, они генерируют меньшее проникающее излучение. Скорость осаждения может регулироваться расстоянием между источником и подложкой и достигать 1 мкм/мин при осаждении алюминия или его сплавов.

Установки магнетронного типа обычно оснащены микропроцессорными системами управления, которые действуют по заданным программам. Системы управления позволяют проводить корректировку программ, перепрограммирование, изменение параметров процесса, а также соединять конкретную установку с большими управляющими комплексами. Регулируются основные параметры технологического процесса: временные характеристики операций откачки камеры, напуска рабочего газа, нагрева подложек, ионной очистки поверхности подложек, процесса распыления; а также мощность магнетрона; скорость движения карусели с подложками. Загрузка и выгрузка пластин могут осуществляться как оператором, так и (в некоторых устройствах) автоматически. Причем заданные и текущие значения параметров в процессе распыления могут контролироваться с помощью экрана дисплея.

Хотя магнетронные системы испарения металлов значительно сложнее в изготовлении и эксплуатации, чем вакуумно-термические, в условиях современного производства они являются наиболее совершенными, обеспечивающими необходимые качества и производительность при нанесении металлических тонких пленок.

Создание омических контактов к ИС

Основное назначение контактов в ИС - это подведение электрического тока к какой-либо ее области.

Для планарных ИМС используют как локальные контакты (рис.5.2,а), так и распространенные (рис.5.2,б), выходящие на поверхность диэлектрического покрытия - двуокиси кремния, нитрида кремния и т.д. Распространенные контакты являются большим достоинством планарных ИМС, так как они позволяют отделить место присоединœения вывода от активной области прибора и тем самым резко уменьшить как размеры последней, так и вредные воздействия на нее.

Основные качества контактов - обеспечение заданных электрических параметров и механическая прочность - должны сохраняться в течение всœего срока службы ИМС при изменении в широком диапазоне условий эксплуатации схем. Стоит сказать, что для нормальной работы полупроводникового прибора или ИМС контакты к ним должны удовлетворять следующим требованиям:

Быть невыпрямляющими, ᴛ.ᴇ. сопротивление контакта не должно меняться при изменении направления протекающего тока, и неинжектирующими;

Обладать линœейными зависимостями сопротивления от величины протекающего тока;

Иметь минимальное сопротивление, в т.ч. в направлении, параллельном поверхности, особенно если вывод присоединœен к незначительной по площади части контакта;

Обладать высокой теплопроводностью и иметь коэффициент теплового расширения, близкий к аналогичным коэффициентам кремния и материала вывода или корпуса;

Представлять металлургически стабильную систему с кремнием и материалом вывода, в случае многослойных контактов это условие относится к взаимодействию слоев между собой;

Металл контакта должен обеспечивать достаточно хорошую адгезию к кремнию, а в случае распространенных контактов - и к диэлектрическому покрытию;

Не вступать в химическое взаимодействие с диэлектрическим покрытием;

Обеспечивать проведение фотолитографии;

Глубина диффузии металла контакта в кремний должна быть минимальной.

Важно заметить, что для создания неинжектирующего контакта с малым сопротивлением крайне важно, чтобы электрохимические потенциалы металла j мет и кремния j S i удовлетворяли условиям: j мет < j S i для S i n-типа; и j мет > j S i для Si p-типа. При этом такие контакты, как правило, обладают нелинœейными вольт-амперными характеристиками, их сопротивление зависит от величин приложенного напряжения и протекающего тока.

Этого можно избежать путем дополнительного легирования полупроводника под контактом, к примеру, в кремнии n-типа диффузионным способом создается тонкая область n + -типа. Между n – - и n + -областями возникает контактная разность потенциалов, пропорциональная разности концентраций ионизированных доноров. Изменить эту разность потенциалов прилагаемым извне напряжением очень трудно: при любой полярности напряжения будет изменяться только поток базовых носителœей. За счёт этого обеспечивается линœейность характеристики контакта. Линœейный неинжектирующий контакт принято характеризовать контактным или переходным сопротивлением r k . Величина этого сопротивления в основном зависит от вида металла, типа и сопротивления полупроводника

Для полупроводника с малой концентрацией примеси можно использовать уравнение:

где A * = 4pem * k 2 /h 3 - постоянная Ричардсона (e - заряд электрона; k - постоянная Больцмана; m * - эффективная масса носителœей заряда; h - постоянная Планка); j В - высота барьера металл - полупроводник. Поскольку в данном случае преобладает термоэлектронная эмиссия через барьер, малое сопротивление контакта требует малой высоты барьера. При концентрации примеси, меньшей 10 17 см –3 , r k не зависит от уровня легирования. При высокой концентрации примеси ширина барьера уменьшается вследствие сильного изгиба зон полупроводника, и основную роль при протекании тока в контакте играет туннелирование сквозь барьер.
Размещено на реф.рф
В этом случае контактное сопротивление можно представить в виде

,

где e S - диэлектрическая постоянная кремния; N D - концентрация примеси в полупроводнике. С ростом концентрации выше 10 19 см –3 r k быстро уменьшается. В табл.5.1 представлены значения j В для наиболее употребимых материалов контактов.

Таблица 5.1

Высота барьера металл - кремний, В

Для кремния n-типа можно использовать также эмпирическое соотношение

где A = 3,3 и b = 1,3 справедливо для многих металлов.

При дополнительном легировании, когда под контактом создается тонкий слой с поверхностным сопротивлением r n , общее сопротивление контакта R можно подсчитать по формуле

где a - ширина контакта; b - его длина;

Следует отметить, что сопротивление контакта в большой степени зависит от технологических факторов, таких как подготовка поверхности, наличие остатков окисла и др.

Требования к металлургическим и другим физико-химическим свойствам контактов (к примеру, к адгезии) удовлетворить намного сложнее. В то же время именно от этих свойств зависит надежность контактной системы. Причина затруднений кроется в очевидной противоречивости требований (прочность контакта͵ но неглубокое проникновение в кремний; хорошая адгезия к окислу, но слабое влияние на его свойства; инœертность металла, но способность восстанавливать окисные пленки на кремнии). Удовлетворить всœе требования, применяя любой металл, практически невозможно.

Оценивая достоинства и недостатки алюминия, можно сказать, что данный материал наиболее пригоден для использования в качестве контактов к планарным приборам, работающим на частотах до 1 ГГц, не чересчур мощных и не рассчитанных на жесткие требования к надежности.

В других случаях выходом является применение для контактов многослойных систем. В таких системах стремятся для создания нижнего (контактного) слоя использовать металлы, основными свойствами которых являются малое проникновение в кремний, низкое переходное сопротивление и способность к восстановлению окисных пленок. Металл верхнего проводящего слоя должен иметь высокую электропроводность и быть совместимым с металлами контактного слоя и вывода. Условие совместимости обычно трудно выполнить. Это вынуждает вводить третий слой - барьерный или разделительный, который бы предотвращал взаимодействие между металлами.

Для контактного слоя бывают использованы молибден, никель, платина, хром, титан. Цинк, магний и кадмий сильно отличаются от кремния коэффициентом линœейного расширения. Применение меди не всœегда возможно из-за ее влияния на электрические свойства кремния.

Наилучшим из указанных металлов является молибден, который образует достаточно хороший контакт с низкоомным кремнием n- и p-типов; имеет высокую объёмную проводимость; мало вплавляется в кремний; коэффициенты линœейного расширения его и кремния близки; не подвержен электромиграции; не взаимодействует с алюминием, золотом, серебром; обладает сравнительно хорошей адгезией к двуокиси кремния; хорошо травится и обеспечивает фотолитографическую обработку; напыляется в вакууме, может наноситься из металлоорганических соединœений. К недостаткам молибдена относятся: пористость молибденовых пленок, способствующая образованию эвтектики кремния с проводящим материалом, что нарушает контактную систему; значительное различие в коэффициентах расширения молибдена и алюминия; химическое взаимодействие (к примеру с натрием).

Помимо молибдена, для контактного слоя используется платина или силицид платины Pt 5 Si 2 , чье контактное сопротивление мало, и контакт отличается надежностью. При этом металл довольно глубоко проникает в кремний, платина трудно травится при фотолитографии, не восстанавливает окисла и имеет к нему низкую адгезию.

Можно использовать хром, но он, как и алюминий, активно восстанавливает двуокись кремния, а пленки его обычно напряжены и пористы. Хром и алюминий применяются в качестве контактного подслоя. Предварительно нанесенные тонкие пленки этих металлов раскисляют поверхность кремния. Это позволяет снизить требования к подготовке поверхности и заметно улучшает электрические свойства контактов.

Для проводящего слоя бывают выбраны серебро, медь, алюминий, золото. Первые два металла легко окисляются и образуют твердые растворы с золотом и алюминием, в связи с этим их используют редко.

Прекрасным разделительным слоем является платина: достаточно пленки толщиной 45 нм, чтобы предотвратить взаимодействие между слоями, к примеру, титана и алюминия. Без разделительного слоя выбрать устойчивую биметаллическую систему трудно.

Одной из причин нестабильности многослойных систем является взаимная диффузия атомов металлов. Диффузией объясняются реакции образования твердых растворов, к примеру в системе хром - золото (при этом наблюдается рост сопротивления на порядок), или интерметаллических соединœений, как в большинстве систем с алюминием.

Нестабильность должна быть также из-за рекристаллизации (к примеру, в системе алюминий - хром), окисления или явления упорядочения решетки в пределах ближнего порядка, характерного для систем с хромом и титаном. Особенно важно проявление взаимодействия в практических условиях нанесения и вжигания слоев, а также при эксплуатации прибора.

1. Использование силицидов металлов

2. Многослойная разводка. Основные проблемы.

С увеличением степени интеграции и уменьшением размеров элементов интегральных схем стало невозможным решить с помощью только металлических пленок проблемы создания контактов и межсоединœений к сверхтонким структурам (эмиттерные и базовые контакты в биполярных транзисторах, контакты и выводы в МДП-транзисторах). Широко используются сейчас, наряду с алюминием и тугоплавкими металлами (Mo, W), силициды тугоплавких металлов TiSi 2 , TaSi 2 , WSi 2 , MoSi 2 , а также их сочетания с легированным поликристаллическим кремнием. Особенно привлекателœен TiSi 2 , обладающий наименьшим удельным сопротивлением.

Силициды металлов бывают получены либо при осаждении металла на кремний с последующим отжигом, либо при одновременном распылении (сораспылении) кремния и тугоплавкого металла, к примеру с использованием магнетронного распыления.

При напылении металла и последующем его вжигании в кремний образующиеся силициды могут иметь три модификации: Me 2 Si с температурой образования примерно 200 °С, MeSi (моносилицид) с температурой образования 400 - 500 °С и MeSi 2 (дисилицид) с наибольшей (более 600 °С) температурой образования. Не всœе силициды металлов имеют всœе три модификации, так, Pd, Pt образуют два первых соединœения, а Ti и Ta только два последних. Две первые модификации силицидов металлов растут по параболическому закону: квадрат толщины пленки x 2 пропорционален времени вжигания t. В этом случае атомы металла диффундируют в кремний по междоузлиям, что приводит к ослаблению ковалентной связи в полупроводнике в случае большой концентрации металлических атомов. Ослабление ковалентных связей можно рассматривать как переход к связям, подобным металлическим. Одновременно идет и диффузия кремния в металл, но она гораздо слабее. При малой растворимости тугоплавких металлов в кремнии для образования растворов замещения крайне важно создать большую концентрацию вакансий в кремнии. Поскольку энергия образования вакансии достаточно велика, то при низких температурах (менее 400 - 500 °С) это маловероятно.

При более высокой температуре (выше 600 °С) отрыв атома кремния может происходить на его поверхности на границе с металлом в энергетически слабых точках, к примеру на ступеньках, за счёт увеличения энергии атомов под влиянием тепловых колебаний. Рост силицида ограничивается поступлением атомов кремния, скоростью разрыва связей Si - Si, ᴛ.ᴇ. реакцией с металлом на границе раздела. По этой причине рост силицида идет по линœейному закону: x пропорциональна t, и в диффузионном потоке преобладают атомы кремния.

Рост силицидов на поликристаллическом кремнии происходит аналогично росту на монокристалле.

В присутствии кислорода или паров воды скорость роста силицида уменьшается. Многие тугоплавкие металлы образуют как силициды, так и окислы (Ti, Ta, V). При нанесении металла на окисел кремния они образуют сильные адгезионные связи, взаимодействуя с окислом кремния улучшают адгезию Me - SiO 2 . При высокой температуре в результате этого взаимодействия образуется силицид металла, температура его образования на 100 - 200 °С выше, чем для реакции с кремнием. Причем на окисле кремния растут силициды, обогащенные металлом (к примеру Ti 5 Si 3 , а не TiSi 2).

Силициды, полученные сораспылением, имеют более регулярный состав, однако их удельное сопротивление должна быть выше, чем у полученных вжиганием в кремний. Возможно, это связано с большим размером кристаллитов у последнего и, следовательно, с большей подвижностью носителœей заряда.

Применение силицидов металлов в качестве материалов омических контактов к тонким (менее 0,1 мкм) слоям кремния - одно из важных направлений современной технологии ИМС. Особенно перспективно использование для этих целœей TiSi 2 . Помимо наименьшего удельного сопротивления силицид титана при взаимодействии с кислородом и окислом кремния образует окисел титана TiO 2 , который является полупроводником с шириной запрещенной зоны около 2 эВ. Τᴀᴋᴎᴍ ᴏϬᴩᴀᴈᴏᴍ, окисел титана не препятствует протеканию тока в контакте и незначительно увеличивает его сопротивление.

В современных интегральных схемах (СБИС и УБИС) необходима многоуровневая металлизация. При изготовлении систем с многоуровневой металлизацией между слоями металла наносится пленка диэлектрика.

К многослойным системам предъявляются дополнительные требования. Осаждаемый диэлектрик (обычно SiO 2) должен обладать хорошей адгезией к напыленной перед ним металлической пленке, силициду металла и поликристаллическому кремнию. Нанесенная пленка диэлектрика должна полностью покрывать пленку и образовавшиеся после фотолитографии ступеньки. Контакт между первым и вторым слоями металла или других материалов должен быть низкоомным.

При использовании многослойной разводки в интегральных схемах нельзя применять в качестве проводящего слоя только алюминий, так как за счёт взаимодействия с диэлектрическими слоями, между которыми он наносится, проводимость пленки будет со временем уменьшаться, могут появиться отдельные непроводящие участки или разрывы в металлизации. Вследствие этого при многослойной разводке используется обычно и многослойная металлизация. В качестве первого слоя, как указывалось ранее, бывают выбраны платина, титан, молибден и их силициды. Задача этого слоя - обеспечить омический контакт к Si, хорошую адгезию к кремнию и окислу. Второй слой - проводящий - создается напылением золота͵ алюминия, серебра. Для изоляции от нанесенных поверх металла диэлектрических слоев наносится третий слой - изолирующий. В качестве металла третьего слоя могут использоваться платина, хром, титан, тантал, молибден или ванадий.

Многослойная металлизация применяется также для схем, имеющих поверхность с сильно выраженным рельефом, так как алюминиевые пленки на неровностях поверхности могут иметь обрывы из-за электродиффузии и возникающих в пленках напряжений.

Литература к лекциям 13-14.

1.М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А. Ревелœева. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 1. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. 2007. 397с.

Дополнительная литература

Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров.М.: Радио и связь, 1987.

2. Броудай И., Мерей Д. Физические основы микротехнологии. - М.: Мир, 1985.

4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учеб. пособие для прибостроит. спец. вузов / М.; Высш. шк., 1986 ᴦ.

5. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропрорцессоров и микросборок: Учебник для вузов / М.: Радио и связь, 1989 г

Основными характеристиками вещественного сигнала являются: его мощность P(t) и энергия Э .

P(t) = S 2 (t) – определяется как квадрат мгновенного значения S(t).

В случае если S(t) – напряжение или ток, то P(t) есть мгновенная мощность, выделяемая на сопротивлении в 1 Ом.

Энергия сигнала на интервале времени (t 1 ;t 2)

определяется как интеграл от мгновенной мощности:

(8.1)

Отношение

(8.2)

Имеет смысл средней на интервале (t 1 ;t 2) мощности сигнала.

Энергетические характеристики. - понятие и виды. Классификация и особенности категории "Энергетические характеристики." 2017, 2018.

Энергетические характеристики РЛС определяются энергетическими характеристиками передающего устройства, антенно-фидерной системы, приемного устройства и цифровой обработки сигналов.

Выполнение требований, предъявляемых к зонам обнаружения РЛС в условиях как отсутствия, так и наличия помех, обеспечивается использованием режима обзора при следующих энергетических характеристиках:

–импульсная зона обнаружения цели с ЭПР = 4 м 2 с учётом интерференции в режиме 12 об/мин мощность передающего устройства не менее 130 кВ;

–средняя мощность передающего устройства не менее 5,6 кВ;

–коэффициент шума приемника не более 3 дБ;

–потери в СВЧ трактах передатчика не более 1,0 дБ;

–потери в СВЧ трактах приемника не более 1,75 дБ;

–потери в системе обработки без учета потерь в фильтре БПФ и обнаружителе составляют 1,8 дБ;

–коэффициент усиления ДН на передачу составляет не менее 1000;

–ширина ДН в азимутальной плоскости всех приемных лучей по уровню минус 3 дБ: 1,9 ±0,15)°, ширина ДН приемных лучей в вертикальной плоскости, положения их максимумов и коэффициенты усиления для каждого луча для гипотетической РЛС приведены в табл. 3.1.

Дальность обнаружения цели с ЭПР 4 м 2 при вероятности правильного обнаружения 0,5 и вероятности ложной тревоги по собственным шумам приемника 10 -6 в режиме 12 об/мин при высотах полета составляет:

–100 м – 55 км;

–1000 м – 130 км;

–10 км–30 км – 240 км.

Конец работы -

Эта тема принадлежит разделу:

Радиолокационные системы

Академия военно морских сил имени П С Нахимова.. А В Гончар Радиолокационные системы Учебное пособие Севастополь Г УДК Учебное пособие составлено в соответствии с..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Твитнуть

Все темы данного раздела:

Без внутриимпульсной модуляции
6.2.1. Одиночные радиоимпульсы Способы обзора пространства

Обработка частотно-модулированных радиоимпульсов
Особенности обработки частотно модулированных (ЧМ) сигналов рассмотрим на примере обработки линейно-частотно-модулированных радиоимпульсов (ЛЧМ), широко используемых в современных Р

Обработка фазоманипулированных радиоимпульсов
Рис. 6.11. Многоканальное устройство фильтровой обработки ФМ - радиоимпульса с неизвестной доплеровской частотой Рассмотрим согл

Дальность действия РЛС
Одна и основных задач при разработке и проектировании РЛС, а также при выборе из существующих РЛС наиболее пригодную для решения конкретных задач потребителя является определение ее максимальной да

Потери отношения сигнал-шум в реальных РЛС
Потери в антенне определяются распределением поля по поверхности (апертуре) антенны:. , где – коэффициент, учитывающий неравномерность распред

Зона видимости. Способы
Рис. 7.2. Зона видимости РЛС сканирования пространства и влияние их на дальность действия РЛС

Коэффициент направленного действия антенны
Обратимся еще раз к формуле (7.5). Здесь и – коэффициенты направленного действия антенны – указывается в формуляре на антенну или РЛС, является основной характеристикой антенны. Он

Учет формы диаграммы направленности антенны и способа обзора пространства
В выражении (7.5) множитель описывает форму диаграммы направленности антенны. В общем случае получить выражение для диаграммы направленности любой произвольной антенны – задача дост

Способы обзора пространства
В процессе проектирования РЛС одним из наиболее сложных и важных вопросов является обоснование и выбор способа сканирования пространства. Задача сводится к обеспечению просмотра зоны видимости (рис

Расчет числа импульсов в пачке
Для каждого конкретного выбранного способа сканирования пространства представляется важным знать количество лучей в пачке, так как в большинстве современных РЛС реализуется как коге

Поглощение радиоволн атмосферными газами
Рис 7.7. Зависимость коэффициента затухания радиоволн в воздухе от длины волны при t = 200 C Осно

Влияние гидрометеоров на распространение радиоволн
7.4.1. Характеристики тумана и дождя Таблица 7.2 Характеристики тумана и дождя Ви

Поверхностно распределенные цели
Морские условия весьма многообразно влияют на радиолокационное обнаружение. Из всего многообразия можно выделить три основных явления: – сигналы, отраженные целями, подвержены изменениям;

Свойства отражений от взволнованной поверхности моря
Зондирующий сигнал, отраженный от поверхности моря, создает значительные помехи РЛС и затрудняет обнаружение целей. На рис. 7.11 приведены фотографии индикатора кругового обзора РЛС «Океан» с центр

Свойства морской поверхности
Ветровые морские волны – основная причина возникновения флюктуационных мешающих отражений радиолокационного сигнала. Волны возникают под влиянием атмосферных воздействий. Реакция мо

Приемника РЛС
Отраженные сигналы могут поступать по главному, боковым и заднему лепесткам диаграммы направленности антенны. На рис 7.12 приведен порядок определения освещенной площадки главным лепестком антенны.

Учет влияния поверхности Земли
В качестве некоторой нормы атмосферы принята нормальная атмосфера с параметрами: давление Р=1013 мбар; температура t = 130 C; относительная влажность s

Основные виды помех активной радиолокации
Как и в любой радиотехнической системе, в радиолокации может существенно сказываться влияние различного рода помех. Роль помех в активной радиолокации может оказаться еще большей, ч

Защиты от них
Существуют два основных вида источников естественных маскирующих активных помех: дискретные и распределенные. К дискретным источникам помех относятся Солнце, Луна и радиозвезды. К р

И способы создания
Рис. 8.1. Влияние слабой (1) и сильной (2, 3) помехи на прохождение сигнала В качестве искусственных маскирующих

При воздействии маскирующих стационарных активных помех
При достаточном динамическом диапазоне приемника условие обнаружения цели в маскирующих стационарных активных помехах типа белого шума имеет вид, где Епр

Пассивные маскирующие помехи и способы их создания
Как уже указывалось выше, к естественным пассивным помехам относятся радиопомехи, создаваемые природными отражателями (местными предметами, водной поверхностью, гидрометеорами, севе

Основные направления защиты РЛС от маскирующих активных помех
Анализ уравнения противорадиолокации показывает, что основные направления защиты РЛС от маскирующих активных помех связаны с использованием амплитудных, поляризационных, частотных и

Методы некогерентной и когерентной компенсации помех
Для улучшения пространственной селекции сигнала на фоне помех, приходящих с отдельных направлений, кроме мер, перечисленных выше, могут быть также исп

Практические схемы автокомпенсаторов
Квадратурный автокомпенсатор В таком автокомпенсаторе формирование весового (управляемого) напряжения осуществляется на видеочастоте. В этой связи представим компле

Основные различия сигналов целей и пассивных маскирующих помех
Сигналы, отраженные от целей, и пассивные маскирующие помехи в общем случае имеют различные статистические характеристики. Для сигналов и помех, распределенных по нормальному закону

Оптимальное обнаружение сигнала на фоне пассивной помехи
в виде стационарного небелого шума Небелый шум, как известно, характеризуется неравномерным распределением спектральной плотности мощности по оси часто

Фильтров подавления
Рис. 8.22. Схема однократного череспериодного вычитания Принципы построения входящих в состав оптимального фильтра оп

Модели движения целей
Наблюдаемые радиолокационные цели: наземный транспорт, корабли, самолеты, космические аппараты и другие объекты – могут двигаться по самым разнообразным траекториям, имеющим, как правило, случайный

Экстраполяция траекторных параметров
Оценка траекторных параметров движения цели в соответствии с общей структурной схемой ВО проводится в блоке О (рис. 9.2) по отсчетам, отобранным в ходе операции селекции и относящим

Алгоритм селекции отсчетов по минимальному отклонению от центра строба
Алгоритм селекции отсчетов по минимальному отклонению от центра строба обычно применяется в двухэтапной процедуре стробирования. Этот предназначен для работы в случаях, когда в стробе появляется

Алгоритмы сопоставления и привязки отсчетов к траекториям
в многоцелевой ситуации Рис. 9.8. Вариант многоцелевой ситуации Это одна из самых трудных

Общие положения
В современных радиолокационных системах требуемые вероятностные и точнстные характеристики обеспечиваются лишь после проведения этапа ВО. При этом в отличие от первичной обработки п

Вероятность ложного обнаружения траектории
Структура простейшего алгоритма завязка – обнаружение – сброс «2 из m» + «l из n» – «s» в виде направленного графа приведена на рис. 9.9. Направленный гр

Вероятность правильного обнаружения траектории
При поступлении на вход обнаружителя отсчетов, полученных от некоторой цели, логика работы алгоритма остается той же, что и в случае ложных отсчетов. Траектория цели обнаруживается при выполнении у

Систем
В первом разделе данного учебного пособия были рассмотрены основные вопросы теории построения радиолокационных систем. Изложенный в нем материал представляется достаточным для поним

Современных активных РЛС
Существенный прогресс в развитии элементной базы, расширение ранее существовавших и появление новых областей применения РЛС привели к коренному пересмотру как принципов построения,

И возможности создания современных корабельных РЛС
При выборе путей создания радиолокационных систем следует учитывать результаты анализа тенденций развития радиолокационных систем и следующие особенности, обусловленные применением

Тактические характеристики РЛС
К тактическим характеристикам РЛС относятся назначение, сектор или зона работы, время обзора этого сектора, качественные показатели обнаружения объекта, число измеряемых координат и

Число измеряемых координат и параметров движения объекта и точность этих измерений
В РЛС противовоздушной и особенно противоракетной обороны требуется измерение как всех трех координат летательного аппарата, так и их первых, а иногда и вторых производных. В РЛС наблюдени

Когерентные доплеровские РЛС с непрерывным излучением
Возвращаясь к главе 2, в частности, к рис 2.8, можно еще раз констатировать, что в общем, отраженном от объекта сложной формы, сигнале существенной может быть когерентная составляющ

Когерентно-импульсные РЛС
Рассмотренные выше РЛС с непрерывным излучением представляют собой в каком-то смысле чисто доплеровские, или когерентные РЛС. Несколько по-иному решается задача когерентного накопле

РЛС с внешней когерентностью
Как уже отмечалось, к РЛС с внутренней когерентностью предъявляются жесткие требования к стабильности напряжения источника питания и частоты генераторов. Поэтому часто используют режим работы с вне

Временной когерентной обработки сигналов
Комплексная амплитуда напряжения сигнала на выходе линейной части приемника (при условии отсутствия пространственных помех) записывается в виде, (11.2) где

Исходные предпосылки
В соответствии с общей теорией приема, оптимальная временная обработка принимаемого на фоне стационарного белого шума сигнала u(t) сводится к вычислению корреляционног

Во временной области
Так как принимаемые радиолокационные сигналы перед дискретизацией преобразуются в две квадратурные составляющие, то реализация ЦСФ должна производиться в двух квадратурных каналах.

В частотной области
Рассмотрим теперь особенности дискретной свертки типа согласованной фильтрации в частотной области. В соответствии с теорией дискретного представления непрерывных функций, ограничен

Общие положения
Под СДЦ понимают выделение сигналов движущихся целей из них смеси с помехами и шумами, принимаемой приемником РЛС. Типичными задачами СДЦ являются: обнаружение самолетов на фоне отр

Коррелированной помехи
Как известно, оптимальный обнаружитель когерентной пачки радиоимпульсов на фоне белого шума представляет собой последовательно соединенные согласованный с пачкой фильтр, детектор и

И влияющие на нее факторы
Для оценки качества работы систем СДЦ обычно используются следующие характеристики. 1. АЧХ режекторного фильтра и канала доплеровской частотной селекции.

Одноканальные методы автосопровождения по угловым координатам
Системы автоматического сопровождения по угловым координатам в ряде радиолокационных систем являются основными. Это в космической локации, в системах наведения оружия и т.д. Автоматическое

Угловых координат
Получившие широкое распространение одноканальные методы пеленгации, отличаясь сравнительной простотой, не всегда обеспечивают достаточную точность измерения. Основной причиной являются искажения ог

В моноимпульсных системах
Широкое применение в моноимпульсных системах находит суммарно-разностная обработка колебаний, принимаемых различными каналами. При такой обработке образуются сумма и разность двух колебаний. Чтобы

Двухканальных систем
Произвольное угломерное устройство (амплитудное или фазовое) может быть использовано для получения сигнала рассогласования (сигнала ошибки) следящей системы при автосопровождении по

И методы определения координат
Пассивная локация осуществляет обнаружение и измерение координат воздушно-космических, наземных и надводных объектов, создающих излучения. Источниками излучения могут быть работающи

Корреляционные методы обработки сигналов
Практическая реализация методов пассивной локации связана с необходимостью отождествления, т. е. установления соответствия между сигналами, принятыми в различных пунктах от одного и

Определения координат излучающего объекта
Пусть пункты приема и источники радиоизлучения расположены в плоскости хОу (рис. 14.6). Положение i-го пункта характеризуется вектором, истинное положение пеленгуемого объек

Сигнала при корреляционной обработке
На вход коррелятора при наличии сигнала поступают случайные колебания: каждое в виде аддитивной смеси полезного сигнала и помехи. Все эти колебания считаем

Естественных и близких к ним электромагнитных излучений
Под естественным излучением будем понимать тепловое хаотическое излучение объектов, а также участков местности и пространства. Эффект неравномерного теплового излучения радиоволн участками

Принцип действия радиолокационной системы с активным ответом
Подобные системы еще называют системами вторичной радиолокации. Основное отличие ее от радиолокации с пассивным ответом следует из самого наименования: вместо пассивного ответа, обр

Устранение влияния боковых лепестков антенны
Мощность излучения по боковым лепесткам антенны запросчика в горизонтальной плоскости оказывается вполне достаточной для запроса ответчиков, удаленных на большое расстояние от запро

В рлс с активным ответом
Измерение азимута в РЛС с активным ответом основано на использовании обнаружителя с движущимся окном. Для серии последовательных запросов фиксируется несколько ответных сигналов одн

Система активного ответа с адресным запросом
В рассмотренной системе с активным ответом запрашиваются все цели, находящиеся в пределах ДН антенны запросчика. В результате возникает перегрузка системы лишними запросами и ответа

Принцип построения РЛС с синтезированной апертурой антенны
Подобный тип РЛС моно реализовать, разместив антенну на носителе, обладающем большой скоростью, позволяющей получить синтезированную апертуру протяженностью десятки и даже сотни кил

Цифровая обработка сигналов РСА
При аналоговой обработке в РСА с использованием фотопленки информация извлекается с большим запаздыванием относительно момента записи (до нескольких часов). Цифровая обработка сигна

Космические РЛС с синтезированной апертурой
Космическим средствам разведки придают все большее значение и военные, и гражданские специалисты. Применение на борту космического аппарата РЛС с синтезированной апертурой расширяет возможности раз

Проект lightSAR
Цель проекта lightSAR – создание недорогой аппаратуры, имеющей малые массу и объем, для высокоточных наблюдений за поверхностью земли. Аппаратура будет установлена на спутнике, выс

Краткое описание некоторых РЛС
Ранее в данном учебном пособии были рассмотрены основные вопросы теории построения и структурные решения при создании радиолокационных систем. Изложенный материалы представляются достаточными для п

Общие данные
Судовая навигационная РЛС «Океан» является двухдиапазонной и работает на волнах 3,2 и 10 см. Кроме того, в зависимости от типа комплектации (варианта) станция может быть однодиапазо

Антенно-волноводное устройство
Двухдиапазонная антенна типа А представляет собой конструкцию зеркального типа, показанную на рис. 17.1 Антенна имеет общий отражатель (зеркало) с поверхностью раскрыва 750

Канал свч на волне 3,2 и 10 см
АПЧ АПЧ УПЧ

Передающее устройство
Передатчик РЛС «Океан» 3,2 и 10 см состоит из модулятора и магнетронного генератора (рис. 17.6). В состав модулятора входят: ЛЗ

Приемное устройство
8 УПЧ Д ВУ

Общие данные
Навигационная радиолокационная станция МР-244 «Экран» устанавливается на морских и речных судах, береговых постах контроля судоходства и обеспечивает: – радиолокационное от

Передающий тракт
Передающий тракт обеспечивает генерирование СВЧ зондирующих импульсов и формирование ряда служебных импульсов, синхронизирующих работу других трактов и устройств с моментами излучен

Приемный тракт
Приемный тракт обеспечивает преобразование отраженных СВЧ-сигналов в сигналы промежуточной частоты, их усиление на промежуточной частоте и детектирование. В приемном тракте осуществ

Режим обзора пространства и зоны обнаружения РЛС
Далее нами будут рассмотрены в качестве примера две РЛС воздушного наблюдения. Предварительно следует напомнить некоторые особенности подобных РЛС. Как правило, РЛС воздушного наблю

Генераторы СВЧ многокаскадных передающих устройств
Генератор СВЧ многокаскадных передающих устройств предназначен для усиления входного маломощного высокочастотного сигнала до уровня, необходимого для излучения. В качестве таких ген

Импульсные модуляторы
Импульсные модуляторы предназначены для управления колебаниями генераторов СВЧ. В РЛС используется анодная модуляция, при которой управление работой генераторов производится путем м

Высокочастотный тракт
Высокочастотный тракт обеспечивает передачу с минимальными потерями электромагнитной энергии от передающего устройства к антенному. Он представляет собой сложный комплекс высокочаст

Схемы помехозащиты РЛС
Устройства защиты от помех не являются универсальными. Каждое из них эффективно может использоваться против определенного вида помех. В РЛС обнаружения применяются различные схемы и

Параметры и структура излучаемого сигнала
РЛС работает в S-диапазоне рабочих частот 2900 – 3130 мГц. Количество фиксированных рабочих частот в пределах указанного диапазона определяется исходя из ширины полосы частот радиоизлучения,

Характеристики помехозащищенности
Защита РЛС от пассивных помех строится с учетом опыта разработки и испытаний РЛС подобного класса, а также на основе данных, полученных путем полунатурного моделирования с использов

Точностные характеристики определения координат целей
Выбранные для реализации в РЛС параметры и структура излучаемого сигнала, современные методы обработки радиолокационной информации, а также большой динамический диапазон, достигаемы

Выбор и обоснование структурной схемы
С учетом изложенного выше, реализация приведенных ТТХ возможна в рамках структурной схемы, приведенной на рис. 19.2 и 20.2. 20.2.1. Передающее устро

Приемное устройство
Структурно, рис. 20.2, 20.4 приемное устройство состоит из многоканального (по количеству сформированных антенной горизонтальных каналов) аналогового приемного устройства, многоканальной аналого-ци

Цифровая диаграммообразующая система
Цифровая диаграммообразующая система (далее – ЦДОС) – функциональное устройство антенны первичного радиолокатора РЛС, предназначенное для формирования диаграммы направленности (ДН)

РЛС воздушного наблюдения корабельного базирования
№ п/п Тип РЛС и ее краткая характеристика Размеры антенны, м Пиковая мощность, мВт Длительность импульса, мкс

РЛС воздушного наблюдения наземного базирования
№ п/п Тип РЛС и ее краткая характеристика Длинна волны, м Зона обзора: По азимуту, гр По углу места, гр

Биографические сведения о некоторых выдающихся ученых и инженерах-создателях радиолокационных систем
Ге́нрих Ру́дольф Герц (22 февраля 1857 – 1 января 1894, Бонн) Г

Александр степанович попов
(16 марта 1859 – 13 января 1906 А.С. Попов родился 16 марта 1859 г. в поселке Турьинские Рудник

Юрий Борисович Кобзарев
(8 декабря 1905 – 25 апреля 1992) Юрий Борисович Кобзарев – доктор технических наук, академик Российской академии наук, выдающийся ученый в области радиоте

Кристиан Хюльсмайер
(1881 – 1835) Изобретатель радара Кристиан Хюльсмайер (Christian Huelsmeyer) родился 25 декабря 1881 г

Михаил Михайлович Лобанов
(19 марта 1901 – 2 марта 1984) Михаи́л Миха́йлович Лоба́нов – советский военный инженер, одна из ключевых фигур в становлении и развитии ра

Павел Кондратьевич Ощепков
(25 марта 1928 – 1 декабря 1992) Родился в 1908 году в деревне Зуевы Ключи Сарап

Библиографический список
1 Труды Института радиоинженеров – ТИРИ (Proceedings of the IRE) [М.: ИЛ, 1962/Две части (1517 c.)]. 2. Электроника: прошлое, настоящее, будущее /Пер. с анг. под р